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真空熔煉爐 雙管區熔提純爐

所屬分類:區域熔煉爐

產品型號:KQZ-20-11

更新時間:2024-09-13

描述:真空熔煉爐 雙管區熔提純爐 設備用途:

提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料;

區熔致勻(使一種欲摻入的雜質十分均勻地分布在整個單晶體中)

焊接和測量液體中的擴散率等。

詳細信息






·真空熔煉爐 雙管區熔提純爐  設備用途:

  1. 提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料;

  2. 區熔致勻(使一種欲摻入的雜質十分均勻地分布在整個單晶體中)

  3. 焊接和測量液體中的擴散率等。


二·真空熔煉爐 雙管區熔提純爐  優點:


 1·區熔加熱爐采用往復區熔的方式,閉環溫度控制,可靠的控制熔區的寬度問題;生長室的設計成功解     決生長室的污染問題,
 2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部,采用高純石英作為腔室,同時抽真空;將流動高純氫氣通     入腔室,去除腔室中的微量氧,解決氧化的問題;
 3·開發高柔性的控制軟件,采用觸摸屏進行操作,任意設置區熔的溫度,區熔的速度及次數。


·主要技術參數

  1. 最高加熱溫度:     1200℃ 使用溫度:500-1100℃

  2. 設備功率:          ≤35Kw±10%  三相380v 50Hz(三相五線制)

  3. 感應電源功率:     20Kw±10%  三相380v 50Hz(三相五線制)頻率≥400kHz。

  4. 紅外加熱功率:      2kw*2(暫定)

  5. 冷態極限真空度:   ≤5×10-4Pa

  6. 石墨舟尺寸:     Ф70*200mm(外徑*長度,半圓柱)

  7. 石英管(腔室)尺寸: ¢90*1500(根據實際情況做調整)

  8. 加熱方式:        高頻感應加熱

9·區熔行程及速度:  位移行程 ≦1200mm
                   慢速:0.1-10mm/h(伺服控制)精度0.01mm
               快速:200mm/min(伺服控制)(空走或者后退)
10.爐內充氣壓力:    ≤0.03MPa(氬氣)
11·充氣系統:      自動充放氣
12.區熔溫區:       2溫區
13.石英管法蘭連接方式:真空水冷密封法蘭形式,留KF25真空接口,法蘭材質304不銹鋼
14.控制方式:觸摸屏+plc






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